臺灣博碩士論文加值系統

本論文使用穩懋半導體所提供的GaAs pHEMT製程實現單埠雙通開關(SPDT SWIC)電路。論文中所討論之單埠雙通開關 (SPDT SWIC) 可應用於移動式WiMAX (802.16e) 系統及固定式WiMAX (802.16-2004) 系統，為實現WiMAX系統中所要求的高功率及高線性度的需求，於電路架構中使用多段FET架構、加入閘極-源極間和閘極-汲極間電容、以及增加電源輸入端至RF路徑上之電阻等方式，藉以改善單埠雙通開關 (SPDT SWIC) 在高功率及高線性度上的需求，此外，在操作電壓為+3V/0V且輸入功率為25dBm時，WiMAX調變訊號之誤差向量幅度特性 (EVM) 低於3%。

A high power GaAs single-pole double-throw (SPDT) antenna switch with high linearity is proposed for WiMAX system applications. The circuit structure is adapted to handle high power operation by using the stacked configuration with the aids of capacitors and resistors to increase the FET dynamic range in OFF state. As WiMAX modulation signal is applied, the signal quality in error-vector-magnitude (EVM) is less than 3% for 25dBm input power with the controlled voltage in +3V/0V.

目 錄
書名頁…………………………………………………………… I
論文口試委員審定書………………………………………… II
授權書……………………………………………………………… III
中文提要…………………………………………………………… IV
英文提要…………………………………………………………… V
誌謝………………………………………………………………… VI
目錄……………………………………………………………… VII
表目錄……………………………………………………………… IX
圖目錄……………………………………………………………… X

第一章 緒論
1-1 相關研究發展現況…………………………………………… 1
1-2 研究動機……………………………………………………… 5
1-3 各章提要……………………………………………………… 6

第二章 單晶微波單埠雙通開關基礎理論
2-1 概述……………………………………………………… 7
2-2 主要規格……………………………………………………… 9

第三章 單晶微波單埠雙通開關設計
3-1 設計規格…………………………………………………… 19
3-2 電路架構…………………………………………………… 19
3-3 電路設計…………………………………………………… 20
3-4 電路佈局圖………………………………………………… 28
第四章 電路模擬及量測結果
4-1 晶片實體圖………………………………………………… 30
4-2 測試基板實體圖及打線圖……………………………… 30
4-3 測試基板模擬……………………………………………… 31
4-4 小訊號特性………………………………………………… 33
4-5 功率及諧波失真特性……………………………………… 36
4-6 內部調變失真 (IMD) & 輸入三階截斷點 (IIP3) 特性…… 40
4-7 誤差向量幅度 (EVM) 特性……………………………… 45
4-8 切換時間 (Switch time)………………………………… 46
4-9 量測結果與模擬結果整理表……………………………… 48

第五章 量測結果分析討論
5-1 量測結果問題說明………………………………………… 49
5-2 高頻匹配電路模擬………………………………………… 49
5-3 控制電壓相關性量測……………………………………… 51
5-4 端點電壓相關性量測……………………………………… 53
5-5 DC特性量測………………………………………………… 56

第六章 結論 65

參考文獻 66

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